特許

J-GLOBAL ID：200903072655934746

半導体装置の製造方法

発明者： 成田 昌幸 ,  関根 弘一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214856
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064855
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 切削工程でのチップ欠けを減らし、信頼性を向上させれる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の切削工程で、先端の断面形状がV字型の切削刃7を用いてスクライブライン5の中央部を切削し、表面の幅がW1になるV字型の溝を形成する(図1(b))。このV字型溝の面は半導体基板1の結晶面と略平行な面で、V字型溝と半導体基板1の表面との角度φは結晶方位で決まる角度に約等しい。切削刃7は、このようなV字型溝を形成できる形状である。第2の切削工程で、V字型溝の中央部を、幅W1より狭い幅W3で裏面まで切削して半導体装置を分離する(図1(c))。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に形成された個々の半導体装置を、該半導体装置間の分離領域で切削分離する際に、前記半導体基板の結晶面と略平行な面が一部露出する溝を、前記分離領域内に形成する第1の切削工程と、前記溝の結晶面と略平行な面を横切り、かつ前記半導体基板の裏面まで切削し、前記個々の半導体装置を切削分離する第2の切削工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S