特許

J-GLOBAL ID：200903072656318356

研磨材およびその製造方法、ならびにそれを使用した半導体基板上の絶縁膜の平坦化方法

発明者： 上田 和正 ,  竹内 美明
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321003
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の絶縁膜等の研磨材として、NaOHやKOH等のアルカリ金属を併用せずとも高い研磨性能を発揮し、かつ研磨面にスクラッチやオレンジピールなどの欠陥発生やソフトエラーの発生原因となるα線放射も少ない廉価な研磨材を提供する。【解決手段】 酸化アルミニウムおよび/または酸化ケイ素100重量部とCeに換算し5重量部〜25重量部の酸化セリウムよりなる、平均粒子径が2μm以下の研磨材を用いる。

請求項（抜粋）：

酸化アルミニウムおよび/または酸化ケイ素100重量部とCeに換算し5重量部〜25重量部の酸化セリウムよりなる、平均粒子径が2μm以下の研磨材。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 S ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 E