特許

J-GLOBAL ID：200903072661662286

プラズマ処理装置

発明者： 石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999001415
公開番号（公開出願番号）：WO1999-049705
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 1999年09月30日
要約：

【要約】このプラズマ処理装置は、透過窓23をリング状に形成してその中央部に金属からなるシャワーヘッド50を嵌め込むと共に導波管25の外導体25aの内部にシャワーヘッド50に連通接続する内導体25bを設け、内導体25aからシャワーヘッド50を介して真空容器2内にCF系のガスを含む成膜ガスを導入すると共にECRポイントよりも上方の側壁からプラズマ生成用ガス例えばアルゴンガスを供給する。成膜ガスの活性種がウエハ面に均一に供給され、また金属製のシャワーヘッド50内にはプラズマが入り込まないのでパーティクル汚染を防止できる。

請求項（抜粋）：

真空容器と、 この真空容器内に被処理基板を載置するために設けられた載置部と、 前記真空容器の外から前記真空容器に接続して設けられ、筒状の外導体とこの外導体の内部を通って配設された筒状の内導体とを有し、前記外導体と前記内導体との間を通って高周波を伝搬させて、前記真空容器に高周波を供給し、前記内導体の内部を通ってガスを搬送して、前記載置部と対向する位置から前記真空容器内にガスを供給するようになされた導波管と、 前記載置部と対向するように設けられ、前記外導体と前記内導体との間の空間と前記真空容器内の空間との間でこれら両空間を気密に仕切る誘電体からなる高周波透過窓と、を備え、 前記真空容器に導入されたガスが、前記透過窓より透過した所定の高周波によりプラズマ化され、前記被処理基板に処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/306 R