半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菊地精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049121
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222531
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】半導体基板を切断してチップにする際、結晶の欠けやクラックの発生を防止し、収率の向上を図り、併せてダイシングブレードの性能低下を抑制すること。【構成】電極を備えたPN接合型半導体基板を表面から裏面に向けて切断して素子にする際に、裏面側電極の切断部に電極を形成しないストリート部を設け、かつ切断におけるダイシングブレードの先端の位置を裏面電極と同等ないしそれより上にして切断することからなる半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

P型半導体とN型半導体が接合し、表面及び裏面に電極を備えたPN接合型半導体基板を表面から裏面に向けて切断して半導体素子を製造する方法において、裏面電極の切断部分に電極を形成しないストリート部を設け、かつダイシングブレードの先端の位置を裏面の電極の位置と同等ないしそれより上にして切断することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/78 R , H01L 33/00 A , H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平3-234033
特開平2-079480
特開平2-076243

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