特許
J-GLOBAL ID：200903072666635872
半導体加速度センサ及び半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-240319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107219
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 片持ち梁の膜厚の製造上のばらつきを押さえることにより、歩留りの向上と、検査項目の削減を行い、低コストの半導体加速度センサを提供する。【構成】 SOI基板のシリコン薄膜層5を加速度センサの片持ち梁6として、シリコン酸化膜層4をエッチストップ層とエアーダンパとして、また、ベースシリコン層3を重り1と支持体2として使用する。【効果】 加速度センサの感度を決定する最も重要な要素の一つである片持ち梁の膜厚のばらつきが著しく減少し、目的感度を持つ加速度センサの歩留りが向上し、従来必要であった、加速度センサの感度の全数検査工程が不必要となり、低コストの加速度センサの提供が可能。
請求項（抜粋）：
少なくとも一体に構成された重り、支持体、片持ち梁と前記片持ち梁上に形成されたピエゾ抵抗素子と、前記支持体あるいは前記重り上に形成された参照抵抗と、前記片持ち梁の過剰な加速度による物理的な破壊を防ぐ2枚の制振板と、外部回路との電気的接続を行うコンタクトとを有し、前記ピエゾ抵抗素子と前記参照抵抗により構成されたホイートストンブリッジ回路の電圧変化により印加された加速度を検出しうる半導体加速度センサにおいて、SOI基板のシリコン薄膜層を前記片持ち梁として、並びにシリコン酸化膜層を前記片持ち梁を形成する際のエッチストップ層として、並びにベースシリコン層を少なくとも前記重りあるいは前記支持体の一部として構成する事を特徴とした半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
