半導体発光装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294951
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151677
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】高品質の発光素子を比較的簡単に形成することができるとともに、全体構造を小型化することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板1の上面に、シリコンから成る活性化領域、ソース・ドレイン電極及びゲート電極を有するシリコン半導体素子4,5を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板1の上面に、所定の開口部20を有し、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンのいずれかにより形成されるシリコン膜18を、前記シリコン半導体素子4,5が被覆されるようにして形成する工程と、前記開口部20の内側に位置する単結晶シリコン基板1の上面に化合物半導体の単結晶薄膜から成る発光素子15を、前記シリコン膜18上に化合物半導体から成る多結晶薄膜19を形成する工程と、を経て半導体発光装置を製造する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板の上面に、シリコンから成る活性化領域、ソース・ドレイン電極及びゲート電極を有するシリコン半導体素子を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板の上面に、所定の開口部を有し、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンのいずれかにより形成されるシリコン膜を、前記シリコン半導体素子が被覆されるようにして形成する工程と、前記開口部の内側に位置する単結晶シリコン基板の上面に化合物半導体の単結晶薄膜からなる発光素子を、前記シリコン膜上に化合物半導体から成る多結晶薄膜を形成する工程と、を含む半導体発光装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/15 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/026

FI (4件)：

H01L 27/15 B , H01L 21/205 , H01L 33/00 A , H01S 5/026

Fターム (31件)：

5F041AA05 , 5F041BB26 , 5F041CA03 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA65 , 5F041CB33 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC08 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CB10 , 5F045DA62 , 5F045DA66 , 5F045DB06 , 5F045HA12 , 5F073AB14 , 5F073AB21 , 5F073BA07 , 5F073CA05 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA22

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