特許

J-GLOBAL ID：200903072674239331

保護ダイオード内蔵型電界効果トランジスタ

発明者： 小林 純一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-329519
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162480
出願日： 1994年12月03日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 保護ダイオード内蔵型電界効果トランジスタの製造コストの低減を図り、高周波特性を良好とし、保護ダイオードによる保護効果を高くする。【構成】 深い不純物準位を含む半絶縁性GaAs基板1中に高不純物濃度のp+ 型領域2を設け、半絶縁性GaAs基板1とp+ 型領域2とによりp+ -iダイオードを形成する。p+ 型領域2には電極3をオーム性接触させ、半絶縁性GaAs基板1上にはn型領域とオーム性接触する電極4を設ける。このp+ -iダイオードをゲート電極とソース電極との間に例えば正逆一対接続し、保護ダイオードとする。

請求項（抜粋）：

ゲート電極とソース電極との間に保護ダイオードが接続された保護ダイオード内蔵型電界効果トランジスタにおいて、深い不純物準位を含む半絶縁性半導体基体とこの半絶縁性半導体基体に接して設けられた一導電型の半導体領域とから成るダイオードにより上記保護ダイオードが構成されていることを特徴とする保護ダイオード内蔵型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 29/80 P ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 W