特許
J-GLOBAL ID：200903072675904444
半導体圧力センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005655
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190872
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、2つの半導体基板を貼り合わせて1つの基板としたものに、感圧抵抗を形成した半導体圧力センサに関するもので、ダイアフラムの厚さのばらつきを低減し、圧力特性のばらつきが少ない半導体圧力センサを容易に小型化することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明は、2つの半導体基板11、13を酸化膜12で貼り合わせ、一方の基板11側にアイソレーション16aおよび埋め込みリード14b、16bを形成し、片方の基板13側にダイアフラム19を前記酸化膜12が露出するように形成し、そのダイアフラム19の底面の前記一方の基板11側に感圧抵抗20を前記埋め込みリード14bに接続するように形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板と第2の半導体基板とを酸化膜を介して接合した1つの基板の、前記第1の半導体基板側に前記酸化膜が露出するように設けられたダイアフラムと、該ダイアフラムの底面の前記第2の半導体基板側に設けられた感圧抵抗と、該感圧抵抗が前記第2の半導体基板に設けられた埋め込みリードと電気的に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/302
