特許
J-GLOBAL ID:200903072681726841

酸化シリコン膜光学素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土橋 皓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-315612
公開番号(公開出願番号):特開平7-172867
出願日: 1993年12月15日
公開日(公表日): 1995年07月11日
要約:
【要約】【目的】 酸化シリコン膜光学素子及びその製造方法に関し、高い成膜速度と低い内部応力を有し、大きい層圧厚を有するものとすることを目的とする。【構成】 近赤外波長域で用いられる光学素子の構成膜として酸化シリコン膜を有する酸化シリコン膜光学素子において、酸化シリコン薄膜を、スパッタリングガスとしてアルゴン及び水素の混合物を用い、スパッタリングターゲットとしてSiO2 を用い、酸化シリコン膜積層中に膜中に少なくとも水素を含みかつ含まれる水素の一部あるいは全部がSi-HまたはSiO-H結合を形成して、膜の内部応力を低減して積層するものである。
請求項(抜粋):
近赤外波長域で用いられる光学素子の構成膜として酸化シリコン膜を有する酸化シリコン膜光学素子において、酸化シリコン膜積層中に膜中に少なくとも水素を含みかつ含まれる水素の一部あるいは全部がSi-HまたはSiO-H結合を形成して、膜の内部応力を低減して積層したことを特徴とする酸化シリコン膜光学素子。
IPC (5件):
C03C 17/02 ,  C01B 33/113 ,  C03C 17/245 ,  G02B 5/30 ,  G02B 6/13
引用特許:
審査官引用 (4件)
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