特許
J-GLOBAL ID：200903072682515399
不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000000877
公開番号（公開出願番号）：WO2001-061503
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月23日
要約：
【要約】本発明は、不揮発性メモリにおいて、書き込みコマンドに応答して、書き込みアドレスの元のデータに書き込み状態のデータ(例えば0)が含まれているか否かを判別し、書き込み状態のデータが含まれている場合は、当該書き込みコマンドの書き込み動作を禁止することを特徴とする。または、不揮発性メモリにおいて、書き込みコマンドに応答して、書き込みアドレスの元のデータと前記書き込みコマンドに対応する書き込みデータとを比較し、書き込み状態のデータを消去状態のデータに変更するビットが含まれている場合は、当該書き込みコマンドの書き込み動作を禁止することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有する不揮発性メモリにおいて、 書き込みコマンドに応答して、書き込みアドレスの元のデータに書き込み状態のデータが含まれているか否かを判別し、書き込み状態のデータが含まれている場合は、当該書き込みコマンドの書き込み動作を禁止する制御回路を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
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