特許

J-GLOBAL ID：200903072688060164

配線形成方法、研磨方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 誠一 ,  馬渡 豊樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300721
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110595
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高い研磨速度でCu薄膜のCMP を行い、かつCu配線の腐食を抑制する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 エピハロヒドリン変性ポリアミドを添加した研磨液でCu薄膜を研磨し、さらにエピハロヒドリン変性ポリアミドの水溶液でCMP後にリンスする。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を有する絶縁膜が形成された基体上にCu薄膜を形成し、前記絶縁膜の凸部上の前記Cu薄膜を化学機械研磨法を用いて除去することにより凹部にCu薄膜を残す配線の形成方法において、エピハロヒドリン変性ポリアミドを含む研磨液でCu薄膜を研磨することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 C ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/88 K

Fターム (27件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033WW00 ,  5F033XX18