半導体レーザおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338852
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162090
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】埋め込み層の電流ブロック層としての機能を良好なものとしながら、活性層下部におけるストライプの幅が狭くならないようにしてその部分の電気抵抗が高くならないように改善した、良好な特性の半導体レーザを得る。【構成】 p-InP基板10の上にp-InPクラッド層11、活性層12および0.2μmほどの厚さのn-InPクラッド層13を順次成長させた後、エッチングにより凹部を設けて逆メサ状ストライプを作り、その逆メサ状ストライプの最もくびれた部分から活性層12までの距離が0.25μmほど以下となるようにし、その逆メサ状ストライプの両脇にp-InP層21、n-InP層22、p-InP層23を順次液相成長させて逆メサ状ストライプを埋め込む。

請求項（抜粋）：

逆メサ状のストライプ内においてそのストライプの最もくびれた部分から0.25μmよりは離れないように形成された活性層と、その逆メサ状のストライプ内において活性層の上に形成された薄いクラッド層と、この逆メサ状ストライプの両脇を埋めるように形成された電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体レーザ。

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