特許
J-GLOBAL ID：200903072694933838
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196383
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 従来はベース領域及びエミッタ領域をイオン注入により形成する際のレジストの境界が、露光技術上酸化膜28上に存在せねばならない制約があり、合わせずれ等を考慮すると酸化膜の幅を一定限度までしか微細化できず、従ってベース引出し電極25も一定限度までしか微細化できなかった。本発明はこのような課題を解決する。【解決手段】 SOI基板上に形成されたバイポーラトランジスタにおいて、ベース領域7上に、窒化膜6をマスクとしてベース領域7上の酸化膜5をエッチングして、エッチングされた領域のみに単結晶層を残して、ベース領域7とほぼ同じ接続面積のベース引き出し電極10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたエミッタ部と、前記エミッタ部に隣接して、前記絶縁層上に設けられたベース部と、前記ベース部に隣接して、前記絶縁層上に設けられたコレクタ部と、前記ベース部の上面からのエピタキシャル成長層から成るベース引き出し電極と、前記ベース引出し電極上面の一部に接続された配線とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (17件)：
5F003AP05
, 5F003AZ03
, 5F003BB02
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BB90
, 5F003BC05
, 5F003BH18
, 5F003BH93
, 5F003BM01
, 5F003BN01
, 5F003BP11
, 5F003BP22
, 5F003BP25
, 5F003BP31
, 5F003BP33
, 5F003BP94
