特許

J-GLOBAL ID：200903072694983894

マスクの製造方法及び装置

発明者： 白石 直正
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999007093
公開番号（公開出願番号）：WO2000-039638
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月06日
要約：

【要約】位相シフトレチクルと修正露光用のレチクルとを短時間に、かつ低コストに製造できるマスクの製造方法である。まず、最終的に製造されるデバイスのパターンを拡大した親パターン(PA1〜PC1)を描画してマスターレチクル(MR)を作製する。このマスターレチクル(MR)の親パターン(PA1〜PC1)を縮小転写することによって基板(R1)上に遮光パターン(PA2〜PC2)を形成した後、更に位相シフタ(SA〜SD)を形成することによって位相シフトレチクル(WR1)を作製する。位相シフトレチクル(WR1)を作製する際の露光量よりも少ない露光量のもとで、基板(R2)上にマスターレチクル(MR)の親パターン(PA1〜PC1)を縮小転写して遮光パターン(PA3〜PC3)を形成することによって、修正露光用のレチクル(WR2)を作製する。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクと、該位相シフトマスクのパターンの転写像を合成露光によって修正する際に使用される修正露光用のマスクとを製造するためのマスクの製造方法であって、 親パターンを第1基板上に形成してマスターマスクを作製し、 第1の条件のもとで前記マスターマスクの親パターンを第2基板上に転写すると共に、前記第2基板上に所定の位相シフト部を形成することによって前記位相シフトマスクを作製し、 前記第1の条件とは異なる第2の条件のもとで前記マスターマスクの親パターンを第3基板上に転写することによって前記修正露光用のマスクを作製することを特徴とするマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 B ,  H01L 21/30 502 C