特許

J-GLOBAL ID：200903072696732317

光応答型電界効果トランジスタ

発明者： 小原 輝昭
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258869
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085730
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】新規な構成にて、基板との格子不整合に起因する結晶品質の低下を防止しつつ光感度を向上させることができる光応答型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】InP基板1上にバッファ層2と電子蓄積層20とスペーサ層5と電子供給層30とゲートコンタクト層7とキャップ層8とが積層されている。電子蓄積層20は、格子不整合を有する第1電子蓄積層(ノンドープIn0.8 Ga0.2 As)3と、格子不整合を有しない第2電子蓄積層(ノンドープIn0.53Ga0.47As)4とからなる。第1電子蓄積層3において、その中に、該層より伝導帯の底のエネルギーが低く、かつ、不整合量が大きいノンドープInAs光感度向上層(12a,12b,12c)が3つ挿入されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、電子蓄積層と電子供給層とショットキー接合を有するゲート電極を配置した光応答型電界効果トランジスタにおいて、電子蓄積層内に形成されている格子不整合層中に、該層より伝導帯の底のエネルギーが低く、かつ、不整合量が大きい光感度向上層を複数挿入したことを特徴とする光応答型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 31/10 E ,  H01L 29/80 H

Fターム (21件)：

5F049MA14 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NB01 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F102FB07 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GL16 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01