特許
J-GLOBAL ID：200903072706630453
セラミック基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213832
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 従来のフリップチップボンディング用セラミック基板においては、厚膜形成技術を用い、その内部に信号配線層を2層、接地用ベタパターン及び電源用ベタパターンをそれぞれ1層形成していた。上記構成のセラミック基板の製造においては、複数のグリーンシート表面へそれぞれ異なるパターンの導体ペーストを印刷し、ビアホール等を形成し、これらグリーンシートを積層した後焼成を行わなければならず、セラミック基板の製造コストが高くなるという課題があった。【解決手段】 半導体素子搭載面17にフリップチップボンディング用の端子パッド12a、13a、14a及び信号配線12が形成されるとともに、接地用ベタパターン13が形成され、マザーボード接続面18に信号用端子パッド12b及び接地用の端子パッド13bが形成されるとともに、電源用のベタパターン14bが形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子搭載面にフリップチップボンディング用の端子パッド及び信号配線が形成されるとともに、電源用又は接地用のベタパターンが形成され、マザーボード接続面に信号用及び、電源用又は接地用の端子パッドが形成されるとともに、接地用又は電源用のベタパターンが形成されていることを特徴とするセラミック基板。
FI (2件)：
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 L
