特許

J-GLOBAL ID：200903072710757930

半導体不揮発性記憶素子とその製造方法

発明者： 土屋 達男
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106221
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296029
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板11の表面領域に、第1の絶縁膜としてトンネルシリコン酸化膜12とこのトンネルシリコン酸化膜上に設けたトンネルシリコン窒化酸化膜13とからなる電荷注入可能なトンネル絶縁膜、第2の絶縁膜としてシリコン窒化膜14、第3の絶縁膜としてシリコン酸化膜15を順次積層したゲート絶縁膜とこのゲート絶縁膜上に設けたゲート電極16とからなる半導体不揮発性記憶素子とその製造方法。【効果】 従来に比較して、書き込みデータの保持能力を低下することなく、半導体不揮発性記憶素子の書き込み電圧を低くすることが可能となり、半導体不揮発性記憶素子をより高集積化することが可能となる。さらに、この発明の半導体不揮発性記憶素子の製造方法によれば、製造工程における収率を増大することが可能となる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の表面領域に、第1の絶縁膜として電荷注入可能なトンネル絶縁膜、第2の絶縁膜としてシリコン窒化膜、第3の絶縁膜としてシリコン酸化膜を順次積層したゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けたゲート電極とからなる半導体不揮発性記憶素子にあって、トンネル絶縁膜はトンネルシリコン酸化膜と、このトンネルシリコン酸化膜上に設けたトンネルシリコン窒化酸化膜とからなることを特徴とする半導体不揮発性記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 E