特許
J-GLOBAL ID:200903072714543349
薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-262054
公開番号(公開出願番号):特開平7-115272
出願日: 1993年10月20日
公開日(公表日): 1995年05月02日
要約:
【要約】【目的】本発明の目的は、薄膜配線層において、エキシマレーザービームにより、絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に同一軸上で貫通させた接続用ホール形成を可能ならしめる薄膜多層配線実装基板の製造方法及び製造装置を提供することにある。【構成】少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。【効果】本発明は、従来のドリル穴明け加工に比べ、より微小な接続用ホール形成を達成できる。また、上記製造方法を用いることにより、高信頼性を有する薄膜多層配線実装基板が実現できる。
請求項(抜粋):
少なくとも一層以上の絶縁層と導体層からなる薄膜多層配線実装基板の接続用ホールをエキシマレーザービームで加工してなる工程を含む薄膜多層配線実装基板の製造方法において、前記エキシマレーザービーム加工が同軸上の絶縁層と導体層を選択的かつ連続的に穴明け加工ならしめ、接続用ホールを形成することを特徴とする薄膜多層配線実装基板の製造方法。
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