特許

J-GLOBAL ID：200903072719295742

半導体集積回路

発明者： 野村 宣生
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267575
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】本発明はチップサイズを増大させることなく電源配線及び信号配線によるノイズの伝達を防止することを目的とする。【構成】チップ上でノイズ源となる高出力素子Tr とノイズ源とならない通常素子とを接続する配線3,5,6に該配線より高抵抗及び高容量のノイズ吸収層7が介在される。

請求項（抜粋）：

チップ上でノイズ源となる高出力素子(Tr )とノイズ源とならない通常素子とを接続する配線(3,5,6)に該配線より高抵抗及び高容量のノイズ吸収層(7)を介在させたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/90