特許

J-GLOBAL ID：200903072720733001

光電変換素子の製造方法、光電変換素子、電子装置の製造方法、電子装置、金属膜の製膜方法および積層構造体

発明者： 榎本 正
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108076
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319131
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】対極となる白金などからなる金属膜の金属酸化物膜に対する付着性の大幅な向上を図ることができ、しかもその対極となる金属膜の異種金属による汚染が生じない光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体微粒子からなる半導体電極と対極となる金属膜とを有する光電変換素子において、ITOなどの金属酸化物からなる透明電極12上にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)膜13をスピンコートなどにより製膜した後、その上に対極となる白金膜14を製膜する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体電極と金属酸化物膜上に製膜した対極となる金属膜とを有する光電変換素子の製造方法において、 上記金属酸化物膜上に、

IPC (2件)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20