特許

J-GLOBAL ID：200903072732398470

試料作製方法

発明者： 水越 克郎 ,  本郷 幹雄 ,  嶋瀬 朗 ,  水村 通伸 ,  濱村 有一 ,  梅村 馨 ,  園部 泰夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-072097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264225
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】本来の断面形状を損なうことなく、微細構造を有する半導体装置の所望位置に断面を形成し、SEMあるいはTEM等による断面解析を可能とする。【解決手段】半導体装置100の断面解析箇所11に液体材料21を塗布し、焼成等により保護膜22形成後、集束イオンビーム1を用いて半導体装置100の断面加工を行う。

請求項（抜粋）：

断面解析の対象となる箇所を含む領域に液体材料を塗布する第1の工程と、前記液体材料から保護膜を形成する第2の工程と、解析のための断面を集束イオンビームを用いて露出させる第3の工程とを含むことを特徴とする試料作製方法。

IPC (5件)：

G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01L 21/3065 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225

FI (7件)：

G01N 1/32 B ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  G01N 1/28 N ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 K ,  H01L 21/302 D

Fターム (24件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001KA03 ,  2G001KA20 ,  2G001LA11 ,  2G001RA03 ,  2G001RA04 ,  2G001RA08 ,  2G001RA20 ,  5F004AA06 ,  5F004AA08 ,  5F004BA17 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA39 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02