特許

J-GLOBAL ID：200903072734398345

シリコンの精製方法

発明者： 福山 稔章 ,  和田 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205741
公開番号（公開出願番号）：特開2006-027923
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 精製速度を低下させることなく、効率よく精製し、太陽電池用シリコンを安価に提供する。【解決手段】 本発明のシリコンの精製方法は、不純物元素を含有する溶融シリコンの精製方法であって、第1の局面によれば、不純物元素と反応する成分を含む精製ガスを溶融シリコンに接触させることにより、不純物元素を含む生成物を溶融シリコンから除去する工程と、溶融シリコンとの反応性が小さい処理ガスを溶融シリコンに接触させることにより、溶融シリコンと精製ガスとの反応による生成物を除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不純物元素を含有する溶融シリコンの精製方法であって、 前記不純物元素と反応する成分を含む精製ガスを溶融シリコンに接触させることにより、不純物元素を含む生成物を溶融シリコンから除去する工程と、 溶融シリコンとの反応性が小さい処理ガスを溶融シリコンに接触させることにより、溶融シリコンと精製ガスとの反応による生成物を除去する工程と を備えることを特徴とするシリコンの精製方法。

IPC (1件)：

C01B 33/037

FI (1件)：

C01B33/037

Fターム (15件)：

4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ26 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072LL05 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072RR23 ,  4G072RR24 ,  4G072TT19 ,  4G072UU02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 金属の精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-006420   出願人：シャープ株式会社
• 特許第3205352号公報
  

審査官引用 (2件)

• 金属シリコンの精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-270815   出願人：川崎製鉄株式会社
• 金属の精製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-006420   出願人：シャープ株式会社