特許
J-GLOBAL ID：200903072738704459
液晶パネル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123894
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクスタイプの液晶パネルに関し、高輝度で、画素の開口率を高めることのできる液晶パネルを提供する。【構成】 第2の基板3の行電極11及び列電極12に包囲される領域内に半導体素子13が配設される。第1の基板2に形成された第1の遮光膜24は半導体素子13の一部を遮光する。第2の基板3に形成された第2の遮光膜23は、第2の基板3の基板面と略垂直方向から見て、画素電極7の外形と一部重複して画素電極7を包囲する枠状形状とされ、且つ第1の遮光膜24と一部重複して半導体素子13の他の一部を遮光する。第1の遮光膜24と第2の遮光膜23とにより、半導体素子13の全部がを遮光される。
請求項（抜粋）：
共通電極(5)を有する第1の基板(2)と、マトリクス状に形成された行電極(11)及び列電極(12)と、該行電極(11)及び列電極(12)に包囲される複数の領域内に夫々形成される画素電極(7)と、一端を該行電極(11)及び列電極(12)のいずれかに接続され他端を該画素電極(7)に接続された半導体素子(13)とを有する第2の基板(3)と、該第1及び第2の基板(3)との間に封入された液晶(4)とを具備し、該複数の半導体素子(13)をスイッチング制御することにより、該液晶(4)の該行電極(11)及び列電極(12)に包囲される画素領域の光透過率を制御して所望の画像を表示する液晶パネルにおいて、前記半導体素子(13)の一部を遮光する第1の遮光膜(24)を前記第1の基板(2)に形成すると共に、前記第2の基板(3)の基板面と略垂直方向から見て、前記画素電極(7)の外形と一部重複して前記画素電極(7)を包囲する枠状形状とされ、且つ前記第1の遮光膜(24)と一部重複して前記半導体素子(13)の他の一部を遮光する第2の遮光膜(23)を前記第2の基板(3)に形成し、該第1の遮光膜(24)と該第2の遮光膜(23)とにより、前記半導体素子(13)の全部を遮光する構成としたことを特徴とする液晶パネル。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335
, H01L 29/784
