特許

J-GLOBAL ID：200903072738858820

化学蒸着装置

発明者： 池田 圭
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-140078
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 成膜速度分布の均一さ及び膜厚や膜質の均一性を保つことのできる化学蒸着装置を提供する。【解決手段】 常温常圧で液体である有機系金属材料の原料ガス供給系が、処理すべき基板に対向して真空容器内に配置され、その中心を前記基板の中心と同軸上の位置とするガス導入口を中央に備えていると共に、当該ガス導入口の周縁から周辺に向かうに従って前記基板との距離が徐々に狭くなる形状を有するガス導入ガイドを備えている化学蒸着装置であって、前記基板の中心と同軸上になる位置に配置されているその中心から周辺に向かうに従って前記基板との距離が徐々に狭くなる形状を有し、更に、前記ガス導入口から流入したガスの一部が基板に向けて透過できる空隙部を備えているガス整流板が、前記基板と前記ガス導入ガイドとの間で、前記ガス導入ガイドの前記基板に対向する面との間に空隙を有しつつ前記基板に対向して配置されている化学蒸着装置。

請求項（抜粋）：

排気系を備えた真空容器と、真空容器内の所定の位置に処理する基板を保持する基板ホルダーと、当該基板を所定温度に加熱する加熱手段と、加熱された基板の表面に原料ガスを供給する原料ガス供給系とを備え、前記基板の表面又は表面近傍における化学反応を利用して当該基板の表面に所定の薄膜を生成する化学蒸着装置であって、前記原料ガス供給系は、前記基板ホルダーに保持された基板に対向するように真空容器内に配置され、その中央に前記原料ガス供給系のガス導入用配管が連結されるガス導入口であって、中心が前記基板の中心と同軸上になる位置に配置されているガス導入口を備えていると共に、当該ガス導入口の周縁から周辺に向かうに従って前記基板との距離が徐々に狭くなる形状を有しているガス導入ガイドを備えている化学蒸着装置において、前記基板ホルダーに保持された基板と前記ガス導入ガイドとの間で、前記ガス導入ガイドの前記基板に対向する面との間に空隙を有しつつ前記基板に対向するように配置されたガス整流板が備えられており、当該ガス整流板はその中心が前記基板の中心と同軸上になる位置に配置されていると共に、当該ガス整流板の中心からその周辺に向かうに従って前記基板との距離が徐々に狭くなる形状を有し、更に、前記ガス導入口から流入したガスの一部が前記基板に向けて透過できる空隙部を備えていることを特徴とする化学蒸着装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

Fターム (20件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA03 ,  4K030KA45 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14