特許

J-GLOBAL ID：200903072739915682

SOIウェーハの製造方法

発明者： 横山 敬志 ,  三島 孝博 ,  山本 和馬 ,  山本 政人 ,  松田 豪 ,  伊藤 茂樹
出願人/特許権者： 大同ほくさん株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-295059
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144615
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】比較的簡単な製造装置を使用した簡単なプロセスにより、信頼性の高いSOIウェーハが得られ、しかも、量産向きで製造コストを低くできるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】第1のシリコン層と第2のシリコン層とが絶縁層を介して積層され、上記両シリコン層が絶縁層によって誘電体分離されたSOIウェーハを製造する方法であって、表面に酸化ケイ素膜16が積層形成されたシリコン基板5を準備し、アルミニウムを添加した溶媒にシリコンを高温で飽和させた飽和溶液に、上記シリコン基板5表面の酸化ケイ素膜16を接触させ、その状態で上記飽和溶液を冷却し、シリコンを析出,成長させて酸化ケイ素膜16上にシリコン膜19を積層形成させるようにした。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン層と第2のシリコン層とが絶縁層を介して積層され、上記両シリコン層が絶縁層によって誘電体分離されたSOIウェーハを製造する方法であって、表面に酸化ケイ素膜が積層形成されたシリコン基板を準備し、アルミニウムを添加した溶媒にシリコンを高温で飽和させた飽和溶液に、上記シリコン基板表面の酸化ケイ素膜を接触させ、その状態で上記飽和溶液を冷却し、シリコンを析出,成長させて酸化ケイ素膜上にシリコン膜を積層形成させるようにしたことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/208 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-075327
  
• 特開昭62-036099
  
• 特開平4-075327
  
• 特開昭62-036099