特許
J-GLOBAL ID：200903072742998181
半導体デバイスの対向するドープ領域のインターフェースにおけるキャリア濃度を制御する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151764
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099315
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイスの対向するド-プ領域のインタ-フェ-スにおけるキャリア濃度を制御する方法を提供すること。【構成】 グレ-ド・チャネル電界効果デバイスのしきい電圧は、本発明により制御される。好適実施例にあっては、スペ-サ(80,82)はゲ-ト電極(56)に隣接し、グレ-ド・チャネル領域(60,62)内における、ソ-ス/ドレイン領域(84,86)の位置(88,90)をずらしている。ソ-ス/ドレイン領域(84,86)の位置(88,90)は、グレ-ド・チャネル領域(60,62)のキャリア濃度特性の所望の点における位置のものとなる。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの対向するド-プ領域のインタ-フェ-スにおけるキャリア濃度を制御する方法であって:半導体基板(50)の表面(52)の直下に第1型ド-パントにド-プされた半導体基板(50)を提供する段階;前記半導体基板(50)の前記表面(52)上に電極(56)を形成する段階;前記半導体基板(50)内で前記第1ド-パント型の第1ド-プ領域(60)を形成する段階であって、前記第1ド-プ領域(60)は前記電極(56)の端部によって整合され、前記第1ド-プ領域(60)は平坦な部分と急瞬な傾斜部分とを有する第1キャリア濃度特性を有する第1ド-プ領域(60)を形成する段階;前記電極(56)に隣接するスペ-サ(80)を形成する段階;および前記第1ド-プ領域(60)において前記第1ド-パント型とは逆の第2ド-パント型の第2ド-プ領域(84)を形成する段階であって、前記第2ド-プ領域(84)は前記スペ-サ(80)によって整合され、前記第2ド-プ領域(84)は前記電極下部で横向きの広がり(88)を有し、前記広がり(88)はスペ-サ(80)によって決定され、前記第2ド-プ領域(84)は、前記第1キャリア濃度特性(42)の前記平坦な部分に対応する位置における前記第2ド-プ領域の広がり(88)において、前記第1ド-プ領域(60)に出くわす第2ド-プ領域(84)を形成する段階;から構成されることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
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