特許

J-GLOBAL ID：200903072743104869

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 洋 ,  島田 喬 ,  徳永 和彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293872
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109887
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】イオン注入によって発生したシリコン基板中のダメージ層から素子構造に起因した応力を取り除くことにより、半導体装置中の結晶欠陥の発生を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体装置の製造方法は、(イ)シリコン基板1の表面3と同一平面あるいはシリコン基板1の表面3よりも上方に素子分離絶縁膜10の表面14が位置するように、シリコン基板1に素子分離絶縁膜10を形成する工程と、(ロ)高濃度の不純物をイオン注入する工程と、(ハ)前記素子分離絶縁膜10の表面14がシリコン基板1の表面3の下方に位置するように、該絶縁膜10の一部分をエッチングする工程と、(ニ)不純物を活性化アニールする工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)シリコン基板表面と同一平面あるいはシリコン基板表面よりも上方に素子分離絶縁膜の表面が位置するように、シリコン基板に素子分離絶縁膜を形成する工程と、(ロ)高濃度の不純物をイオン注入する工程と、(ハ)前記素子分離絶縁膜の表面がシリコン基板表面の下方に位置するように、該絶縁膜の一部分をエッチングする工程と、(ニ)不純物を活性化アニールする工程、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 R