特許

J-GLOBAL ID：200903072745976731

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 前坂 明弘 ,  菅原 伸浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321435
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 スピンバルブ膜としてのピン止め効果を実用的な範囲に保持しつつ、熱処理による磁気特性の熱劣化を十二分に防止できるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子と、その効果的な製造方法を提供すること。【解決手段】 MgO(111)基板の成膜面上に単結晶成長したスピンバルブ膜を有する磁気抵抗効果素子(SV素子)。MgO(111)基板の成膜面の吸着物を除去するためのスパッタエッチングを行った後に、前記成膜面上にスピンバルブ膜を単結晶成長させる、磁気抵抗効果素子(SV素子)の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも成膜面がMgO(111)からなる基体と、前記成膜面上に単結晶成長したスピンバルブ膜とを有する磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01F 10/28 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/28 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z