特許
J-GLOBAL ID：200903072749148868
MIS型高耐圧トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069502
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 MIS型高耐圧トランジスタの高濃度ドレインとして基板上に形成したポリシリコンを用いることで、従来構造と同一の高耐圧を維持しつつ、P-型オフセット領域の長さを短くし、全ドレイン領域を小さく、従って高耐圧トランジスタ領域を小さくする。【構成】 MIS型高耐圧トランジスタのドレイン形成領域全面にP-型オフセット領域6形成のための注入を実施した後、基板表面を酸化し、ドレイン領域の中央部を開孔してこの上に高濃度ドレインとなるポリシリコン電極を形成する。その後熱処理により高濃度ポリシリコンドレイン7を拡散源として高濃度ドレイン領域をきわめて浅く基板中に拡散し、基板と接合する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板と、前記基板表面に離間して設けられた第二導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域に挟まれた前記基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、前記ドレイン領域は、前記基板表面に接して基板内部に形成され、その不純物濃度が前記ソース領域よりも低い低濃度領域と、前記低濃度領域の前記ゲート電極側の端から距離をおいて前記基板表面上に形成された前記低濃度領域よりも不純物濃度が高い高濃度領域とから成ることを特徴とするMIS型高耐圧トランジスタ。
引用特許：
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