特許

J-GLOBAL ID：200903072751769705

発光素子の製造方法

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131376
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329888
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 Zn及びMgのp型酸化物層を含んだ発光素子において、該p型酸化物層の形成を再現性よく安定的に行なうことができる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びp型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりp型MgxZn1-xO層を成長させる。そして、該p型MgxZn1-xO層の成長途中及び/又は成長完了後に、当該成長途中及び/又は成長完了後のMgxZn1-xO層を酸素含有雰囲気中にて熱処理する。

請求項（抜粋）：

発光層部がp型MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)層を有する発光素子の製造方法において、反応容器内に、有機金属ガス、酸素成分源ガス及びp型ドーパントガスを供給することにより、有機金属気相成長法により前記p型MgxZn1-xO層を成長させるとともに、該p型MgxZn1-xO層の成長途中及び/又は成長完了後に、当該成長途中及び/又は成長完了後のMgxZn1-xO層を酸素含有雰囲気中にて熱処理することを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F041AA11 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AE27 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045HA16