特許

J-GLOBAL ID：200903072756524476

半導体レーザ素子

発明者： 田中 俊明 ,  川中 敏 ,  柳沢 浩徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218916
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069589
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 活性層横方向に対してバンド構造を変形させストライプ領域のバンドギャップエネルギーを小さく設定してキャリア閉じ込めを確保させる。【構成】 (001)面から〔110〕〔-1-10〕方向に15.8°傾いた面を有するn型GaAs基板1’の上にn型GaInPバッファ層3,n型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層13,多重量子井戸活性層21,p型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層15,p型 Ga0.5In0.5Pバッファ層18をエピタキシャル成長した。次に、ホトリソグラフィーによりSiO2マスクを形成し、ケミカルエッチングにより層15を約0.15μm残すところまで層18と層15をエッチング除去してリッジストライプを形成する。さらに、SiO2マスクを残したまま、n型GaδIn1-δP歪薄膜層22,n型GaAs電流狭窄兼光吸収層9を選択成長する。この後、p型GaAsコンタクト層10を埋め込み成長し、次にp電極11及びn電極12をそれぞれ蒸着して素子を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法又は分子線エピタキシー(MBE)法によりエピタキシャル成長された禁制帯幅の大きな光導波層と、それらに挾まれた該半導体基板又は該光導波層とは格子整合しない歪活性層を設けたダブルヘテロ構造において、該光導波層内に上記歪活性層とは別に歪薄膜層が平行して設けられており、かつ該歪薄膜層が該歪活性層に近接して上側か下側の片側又は上下両側に挿入されて構成されることを特徴とする半導体レーザ素子。