特許

J-GLOBAL ID：200903072761715484

半導体装置及びそれを用いた電力変換装置およびその製造方法

発明者： 森島 慎 ,  鈴木 洋 ,  鈴木 和弘 ,  江口 州志 ,  小野瀬 保夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148482
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【構成】p-n接合を有し、p-n接合の端部が露出している半導体と、半導体基体の露出した表面領域とその表面に露出したp-n接合上に配置された絶縁保護膜層を有する半導体装置において、保護膜層が複数層の有機絶縁保護膜を積層した保護膜を備える。【効果】半導体表面に接する絶縁保護膜へ、保護膜の外部からイオン性の不純物の浸入,移動や拡散を防ぐことができる、絶縁保護膜中に残留電化が偏析するといった問題を防ぐことができ、漏れ電流の発生を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

一つ以上のp-n接合を有し、前記p-n接合の少なくとも一つの端部が露出している半導体と、前記半導体の基体の露出した表面領域と前記半導体の基体の端面に露出した少なくとも一つのp-n接合上に配置された絶縁保護膜層を有する半導体装置において、前記絶縁保護膜層が複数層の有機保護膜を積層した保護膜を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/74