特許
J-GLOBAL ID:200903072770885562
プラズマ処理方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石原 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-179987
公開番号(公開出願番号):特開2001-007089
出願日: 1999年06月25日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 プラズマ処理中に発生するプラズマの状態を制御できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 高周波電力発生源5とチャンバ1内に導入されたガスをプラズマ化する磁界を発生させるコイル6とのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合器7を備えたプラズマ処理装置において、コイル6とインピーダンス整合器7の間に電圧・電流検出部12を配設し、電圧・電流検出部12で検出された電圧・電流により電圧、電流、位相差、インピーダンス、電力の高調波成分を測定する高調波測定手段13を設け、その測定結果と実験的に判っているプラズマ処理結果との相関に基づいて、高周波電力量とガス供給量とチャンバ1内の圧力のすべて又は何れかを制御することでプラズマの状態を制御するようにした。
請求項(抜粋):
高周波電源からインピーダンス整合器を介してコイルに高周波電力を供給してチャンバ内に磁界を発生させ、チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化して処理を行うプラズマ処理方法において、プラズマ処理中にプラズマの状態の変化を検出し、検出結果に基づいて高周波電源から出力される高周波電力量とガス供給量とチャンバ内の圧力の全て又はいずれかを制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, C23C 16/505
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
FI (5件):
H01L 21/302 B
, C23C 16/505
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
Fターム (25件):
4K030EA03
, 4K030FA04
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA16
, 4K030KA30
, 4K030KA34
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030KA46
, 4K057DA16
, 4K057DG07
, 4K057DG08
, 4K057DG15
, 4K057DM16
, 4K057DM33
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CB05
, 5F045EH11
, 5F045GB04
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