酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-530628
公開番号（公開出願番号）：特表平11-503567
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】半導体素子を製造する際、SiC単結晶は保管の間に或いは2つの処理プロセス工程の間に酸素を含む雰囲気、例えば空気にさらされる。このときSiC単結晶のSiC表面に自然に酸化膜が形成されるのを回避するために、化学的に反応しない炭素膜、好ましくはグラファイト膜が形成される。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素(SiC)表面に炭素膜を形成する酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/314 A

前のページに戻る