特許
J-GLOBAL ID：200903072783081799
光半導体装置及び光伝送モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084099
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296561
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において,量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く,量子井戸数が多い場合においても,量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。【解決手段】多重量子井戸の障壁層中に,電子・正孔のうち片方のキャリヤ(通常は正孔)のみを閉じ込めるポテンシャルを有するtype-II型量子ドットを,埋め込み成長する。多重量子井戸層全体を,順方向ないし逆方向にバイアスしたとき,量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から,量子ドット内エネルギー準位を経由して,他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ,トンネル効果でキャリヤ(通常は正孔)を高速に移動させることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
多重量子井戸(MQW)層を活性層に有する光半導体装置において,電子あるいは正孔のどちらかのキャリヤのみを閉じ込める量子ドットを,量子井戸間の障壁層中に埋め込み,井戸層中に閉じ込められた同種のキャリヤが,量子ドットを経由して障壁層内を高速にトンネルし,隣接量子井戸層へ移動可能としたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (4件)：
H01S5/343
, H01S5/022
, H01S5/026
, H01S5/12
H01S5/343
, H01S5/022
, H01S5/026 616
, H01S5/12
5F073AA04
, 5F073AA21
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073AA89
, 5F073AB12
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073EA14
, 5F073EA24
