特許

J-GLOBAL ID：200903072783244680

SOI基板の製造方法

発明者： 吉沢 克夫 ,  佐藤 勉 ,  三谷 清 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 長野電子工業株式会社 ,  直江津電子工業株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284009
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112451
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハ材料のロスを低減し、SOI基板を安価に、かつ簡単なプロセスで製造できる方法を提供する。【構成】 ボンドウェーハ1となるべき、単結晶シリコンウェーハの全表面にSiO2 膜3を設けたシリコンウェーハの1枚と、ベースウェーハ2となるべき単結晶シリコンウェーハの2枚とを用意する。これらシリコンウェーハ1の結合面3a(SiO2 膜の表面)と、シリコンウェーハ2の結合面2aとを直接重ね合わせて密着させ、N2 雰囲気中で加熱処理することにより結合して3層構造の結合ウェーハ4となし、中間層のシリコンウェーハ1をダイヤモンド内周刃11で切断して2枚の結合ウェーハに分割した後、切断面を研磨仕上げする。これにより、3枚の材料から2枚のSOI基板を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上に半導体単結晶層を設けた基板を製造する方法であって、少なくとも3枚以上の単結晶シリコンウェーハのそれぞれを、該ウェーハの表面に形成せしめたSiO2 膜を介して重層結合し、前記重層結合されたウェーハをその重層方向に垂直な面に沿って切断することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-194650
  
• 特開昭62-104062
  
• 特開平2-155231