特許
J-GLOBAL ID：200903072785549569
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-108562
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路装置のデータバスが“H”レベル時にフローティング状態になることを解消し、電流のリークによってデータが“H”レベルから“L”レベルへ変化するという誤動作を防ぐ。【構成】データバス3に“H”レベル保持のためのPMOSトランジスタP2 を付加する。PMOSトランジスタP2 のゲートには、インバータ5を介してデータバス3の信号の反転信号を入力する。ソースは高位電源ライン4に接続する。データバス3が“H”レベルの時は、PMOSトランジスタP2 がオンして、常に、データバス3に高位電源ラインのレベルを供給する。PMOSトランジスタP2 の電流供給能力を小さくし、且つゲート電位を接地電位に固定する構成でも同様の効果が得られる。
請求項（抜粋）：
少なくとも、データバスと、このデータバスと高位電源端子との間に設けられデータバスをハイレベルにプリチャージする第1のPチャンネルMOS電界効果トランジスタとを含む半導体集積回路装置において、前記データバスは、データバスと高位電源端子との間に設けられ前記データバスの信号とは逆位相の信号をゲートに受けて前記データバスをハイレベルにプリチャージする第2のPチャンネルMOS電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
G06F 13/40 310
, G06F 3/00
, H01L 27/06
