特許
J-GLOBAL ID：200903072788452264
第8族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 憲治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224536
公開番号（公開出願番号）：特開平9-049081
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 CVD法によって強誘電体電極材料やLSI配線材料などに有用な第8属元素例えばルテニウムやイリジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を得て,その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。【解決手段】 周期律表第8族元素と2,2,6-トリメチル-3,5-ヘプタンジオンまたは2,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオンからなるβ-ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第8族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第8族元素類の成膜法。
請求項（抜粋）：
周期律表第8族元素と2,2,6-トリメチル-3,5-ヘプタンジオンからなるβ-ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第8族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第8族元素類の成膜法。
IPC (4件)：
C23C 16/18
, B01J 19/00
, C07F 15/00
, C30B 25/00
C23C 16/18
, B01J 19/00 L
, C07F 15/00 A
, C07F 15/00 E
, C30B 25/00
