特許
J-GLOBAL ID：200903072788571387
薄膜トランジスタ及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045354
出願日： 1991年06月19日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 レーザー結晶化Si-TFTを作製するにあたり、レーザー照射をTFTのデバイス構造完成後におこなう方法を提供する。【構成】 チャネル形成領域およびソース・ドレイン領域が基板上部または下部からのレーザー照射に対して露呈している構造のa-SiTFTを作製し、その後レーザー照射を行うことによりチャネル形成領域およびソース・ドレイン領域を結晶化、活性化せしめ、デバイス構造完成後のTFTの諸電気特性の制御、およびpoly-SiTFT化を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域の一部およびソース・ドレイン領域のチャネル形成領域側の一部または全部が入射するレーザー光に対して露呈している構造を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/268
