薄膜トランジスタ及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045354
出願日： 1991年06月19日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】レーザー結晶化Si-TFTを作製するにあたり、レーザー照射をTFTのデバイス構造完成後におこなう方法を提供する。【構成】チャネル形成領域およびソース・ドレイン領域が基板上部または下部からのレーザー照射に対して露呈している構造のa-SiTFTを作製し、その後レーザー照射を行うことによりチャネル形成領域およびソース・ドレイン領域を結晶化、活性化せしめ、デバイス構造完成後のTFTの諸電気特性の制御、およびpoly-SiTFT化を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：