特許
J-GLOBAL ID：200903072790534286
熱電半導体の製造方法、熱電変換素子の製造方法及び熱電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007900
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221375
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】各エレメント間の前記熱電変換特性の不均一状態が生じるのを抑制し、高効率の前記熱電変換素子又は装置を製造するための熱電半導体の製造方法、熱電変換素子の製造方法及び熱電変換装置の製造方法を提供すること。【解決手段】n型熱電半導体エレメント材料を少なくとも圧縮加工して圧縮加工されたn型熱電半導体エレメント材1Aを形成し、このn型熱電半導体エレメント材1Aのうち、圧縮加工面より内部の低配向領域1bを圧縮加工面に沿って所定厚みだけ除去し、同様に作製されたp型熱電半導体エレメント材12Aと接合し、この接合体を切断してエレメント対5を得、多数のエレメント対5を平板状に接合し、電極7、8及び支持体19及び24を固定して、ペルチェ素子等の熱電変換装置11を作製する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
熱電半導体材料を少なくとも圧縮加工して圧縮加工体を形成する工程を経て所定形状の圧縮加工体を作製する工程と;前記圧縮加工体のうち、圧縮加工面より内部の領域を前記圧縮加工面に沿って所定厚みだけ除去する工程と;を有する、熱電半導体の製造方法。
IPC (7件)：
H01L35/34
, H01L35/14
, H01L35/16
, H01L35/20
, H01L35/22
, H01L35/24
, H01L35/32
H01L35/34
, H01L35/14
, H01L35/16
, H01L35/20
, H01L35/22
, H01L35/24
, H01L35/32 A
