特許

J-GLOBAL ID：200903072790571866

固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置

発明者： 三井田 ▲高▼
出願人/特許権者： イノテック株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160620
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 赤色感度の向上とリセット電圧の低減を両立させる。【解決手段】 一導電型の第1の半導体層12及び32内の反対導電型の第2の半導体層15aに形成された受光ダイオードと、受光ダイオードに隣接し、一導電型の第3の半導体層12内の反対導電型の第4の半導体層15bに形成された光信号検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた固体撮像素子において、第4の半導体層15b内部にキャリアポケット25を有し、かつ第2の半導体層15aの下の第1の半導体層12及び32の部分は、第4の半導体層15bの下の第3の半導体層12の部分よりも深さ方向において厚くなっている。

請求項（抜粋）：

一導電型の第1の半導体層内の反対導電型の第2の半導体層に形成された受光ダイオードと、一導電型の第3の半導体層内の反対導電型の第4の半導体層に形成された該受光ダイオードに隣接する光信号検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた固体撮像素子において、前記受光ダイオードの部分は、前記第2の半導体層の表層に一導電型の不純物領域を有し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部分は、前記第4の半導体層の表層に一導電型のソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域とを有し、かつ該チャネル領域下のソース領域の近くの前記第4の半導体層内部に反対導電型の高濃度埋込層を有し、かつ該チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有し、前記不純物領域と前記ドレイン領域とが接続し、前記第1の半導体層と前記第3の半導体層とが接続し、前記第2の半導体層と前記第4の半導体層とが接続し、前記第2の半導体層の下の第1の半導体層の部分は、前記第4の半導体層の下の第3の半導体層の部分よりも深さ方向において厚くなっていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

Fターム (17件)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA14 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31