特許

J-GLOBAL ID：200903072791325850

光電変換装置及び撮像システム

発明者： 沖田 彰 ,  松田 崇 ,  古市 愛子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-054884
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218755
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】有効画素領域とオプティカルブラック画素領域との暗電流差を低減できる光電変換装置及び撮像システムを提供する。【解決手段】本発明の第1側面に係る光電変換装置は、画素信号を出力するための有効画素領域と、黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置であって、光電変換部と、前記光電変換部の上方に設けられ、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域とで単位画素あたりの面積が異なる遮光層と、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域とのそれぞれにおいて、前記遮光層の下面に沿って配置され、前記遮光層よりも反射率が低く前記遮光層よりも水素吸蔵能力が高い第1の材料で形成された第1の材料層とを備え、前記第1の材料層の単位画素あたりの面積は、前記オプティカルブラック画素領域において、前記遮光層の単位画素あたりの面積に比べて小さいことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

画素信号を出力するための有効画素領域と、黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置であって、 光電変換部と、 前記光電変換部の上方に設けられ、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域とで単位画素あたりの面積が異なる遮光層と、 前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域とのそれぞれにおいて、前記遮光層の下面に沿って配置され、前記遮光層よりも反射率が低く前記遮光層よりも水素吸蔵能力が高い第1の材料で形成された第1の材料層と、 を備え、 前記第1の材料層の単位画素あたりの面積は、前記オプティカルブラック画素領域において、前記遮光層の単位画素あたりの面積に比べて小さい ことを特徴とする光電変換装置。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L21/88 Z ,  H04N5/335 S

Fターム (43件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX04 ,  5C024GZ36 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045335   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-236841   出願人：ソニー株式会社