特許

J-GLOBAL ID：200903072799046195

シリコン含有2層レジストの剥離方法

発明者： 安波 昭一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215564
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033257
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 基板上に塗設された有機高分子化合物を含む第1レジスト層と、この上に塗設された感光性シリコン含有第2レジスト層からなるシリコン含有2層レジストを用いるデバイス製造工程において、第2レジスト層をパターニングした後で、リワークなどのために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記2層レジストを剥離する方法を提供すること。【解決手段】 基板上に有機高分子化合物を含む第1レジスト層を塗設し、この上にシリコン原子を含有する感光性のポジ型第2レジスト層を塗設し、第2レジスト層を露光、現像によりパターン形成した後に、第1レジスト層および第2レジスト層を剥離する方法において、第2レジスト層への露光、現像により形成されたパターンを有する基板面の全面に対してエネルギー線照射を行なう工程、その後アルカリ性水溶液を用いて第2レジスト層の湿式剥離処理を行なう工程、その後酸素又は酸素を含む混合ガスを用いて第1レジスト層のアッシング処理を行なう工程を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジストの剥離方法。

請求項（抜粋）：

基板上に有機高分子化合物を含む第1レジスト層を塗設し、この上にシリコン原子を含有する感光性のポジ型第2レジスト層を塗設し、第2レジスト層を露光、現像によりパターン形成した後に、第1レジスト層および第2レジスト層を剥離する方法において、第2レジスト層への露光、現像により形成されたパターンを有する基板面の全面に対してエネルギー線照射を行なう工程、その後アルカリ性水溶液を用いて第2レジスト層の湿式剥離処理を行なう工程、その後酸素又は酸素を含む混合ガスを用いて第1レジスト層のアッシング処理を行なう工程を含むことを特徴とするシリコン含有2層レジストの剥離方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 S

Fターム (25件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096FA02 ,  2H096HA30 ,  2H096KA06 ,  2H096LA13 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F043BB28 ,  5F043CC16 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043DD15 ,  5F046MA02 ,  5F046MA04 ,  5F046MA12