特許

J-GLOBAL ID：200903072799097237

バリヤ物質の原子層堆積

発明者： チャン,フア ,  ワン, ロンジュン ,  マイティー, ニーマルヤ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517360
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523994
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

1以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の1以上のパルスと窒素含有化合物の1以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の1以上のパルスと還元剤の1以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板を処理する方法であって、 該基板を、タングステン前駆物質を含む浸漬プロセスに晒すステップと、 該基板上にタンタルバリヤ層を原子層堆積プロセスにより堆積させるステップであって、該基板をタンタル前駆物質と還元剤の連続パルスに晒す工程を含む、前記ステップと、 を含む、前記方法。

IPC (4件)：

C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R

Fターム (34件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB19 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB35 ,  4M104BB36 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22