特許

J-GLOBAL ID：200903072811608013

大容量記憶装置

発明者： 福田 泰樹
出願人/特許権者： 福田 泰樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114025
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268363
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 記憶装置について、記憶容量を大幅に増加させる事が目的である。【解決手段】 波長の短い電子線等を電磁コイルで集光させて、その集光させた光を用いて、材料に結晶、非結晶の状態を作りだし、結晶、非結晶の状態を切り換える事により、データの書き換えが可能になり、課題を満たす事ができるようにした。

請求項（抜粋）：

波長の短い電子線等を電磁コイルで集光させて、その集光させた光(5)を用いて、従来のレーザー光をレンズで集光させるよりも、同じ面積により多く記録できる大容量記憶装置。

IPC (3件)：

G11B 7/00 631 ,  G11B 7/00 636 ,  G11B 7/135

FI (3件)：

G11B 7/00 631 A ,  G11B 7/00 636 A ,  G11B 7/135 Z

Fターム (13件)：

5D090AA01 ,  5D090BB05 ,  5D090CC02 ,  5D090DD03 ,  5D090FF11 ,  5D090KK17 ,  5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119BB04 ,  5D119DA01 ,  5D119DA05 ,  5D119JA44