特許

J-GLOBAL ID：200903072812447323

半導体本体の片面にドープする方法

発明者： シュテフェン シュテルク
出願人/特許権者： シーメンス ソーラー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-538392
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508597
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】本発明は、半導体本体、特にシリコンウェハの片面にドープする方法に関する。この目的のために、まず基板(1)のドープすべき面(DS)と基板(1)のドープすべきでない面(GS)の両者に酸化物層(2,3)を堆積させる。その後、ドープすべき面(DS)の酸化物層(3)にドーピング物質を含有するドーピング層(4)を堆積させる。拡散工程で、ドーピング物質はまず基板(1)とドーピング層(4)の間に位置する酸化物層(3)を均一に貫通する。次いで、ドーピング物質は基板(1)に侵入し、かつ均一なドーピングを生じる。

請求項（抜粋）：

半導体本体、特にシリコンウェハの片面にドープする方法において、-基板(1)のドープすべき面(DS)並びにまたドープすべきでない面(GS)に酸化物層(2,3)を堆積させる工程、-基板(1)のドープすべき面(DS)に堆積した酸化物層(3)にドーピング層(3)を堆積させる工程、及び-ドーピング層(4)内に含有されたドーピング物質を半導体基板(1)内に拡散させる工程からなり、その際ドーピング物質は半導体基板(1)とドーピング層(4)の間に位置する酸化物層(3)を貫通することを特徴とする、半導体本体の片面にドープする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/223 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/225 R ,  H01L 21/223 A ,  H01L 31/04 A

Fターム (7件)：

5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB20 ,  5F051CB30