特許
J-GLOBAL ID：200903072817420954
酸化ケイ素薄膜の形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027018
公開番号（公開出願番号）：特開平6-240459
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD法によって大面積の基板上に高品質の酸化ケイ素薄膜を均一にかつ効率よく形成する。【構成】 有機シランガスとともに、流量比で有機シランガスの50〜1000倍の酸化性ガス、または酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応器1内に導入する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法によって基板上に酸化ケイ素薄膜を形成するに際して、有機シランガスとともに、流量比で有機シランガスの50〜1000倍の酸化性ガス、または酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスを反応器内に導入することを特徴とする酸化ケイ素薄膜の形成法。
IPC (3件)：
C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/316
