特許

J-GLOBAL ID：200903072817509904

半導体装置の製造方法

発明者： 菊地 吉男 ,  助川 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021461
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、薄膜SOI基板に半導体素子を形成する場合のイオン注入方法に関し、イオン注入層を多結晶化しないようにする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 薄膜SOI基板にイオン注入する工程を有する半導体装置の製造方法において、薄膜SOI基板を活性種の拡散が発生しない700°C以下の温度に加熱しながら活性種を注入するように構成する。

請求項（抜粋）：

SOI基板の素子形成層にイオン注入する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記SOI基板の素子形成層を活性種の拡散が発生しない温度に加熱しながら活性種を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 A