特許
J-GLOBAL ID：200903072817737095
配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035137
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245344
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 上層ポリシリコン配線内にPN接合が形成されるのを防止するポリシリコンプラグ配線の形成方法を提供する。【構成】 下層配線11,12上に、順次層間絶縁膜13、N型ポリシリコン膜14、層間絶縁膜15、P型ポリシリコン膜16、層間絶縁膜17を積層し、コンタクトホール19を開口する。次いでP型ポリシリコン膜16の露出面に斜めイオン注入にてBF2を注入して、コンタクトホール19近傍のみに高濃度層16Aを形成する。その後、ポリシリコンプラグ20を埋め込み、リン(P)を注入してN型のポリシリコンプラグとする。このように、P型ポリシリコン膜16に高濃度層16Aを形成したことにより、ポリシリコンプラグ20からN型不純物が拡散してPN接合が形成されるのを防止できる。このため、P型ポリシリコン膜16にデバイスを形成してもこのデバイスの特性の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
下層配線の上方に、少なくとも、第1導電型の不純物が導入されたポリシリコンでなる第1上層配線と、第2導電型の不純物が導入されたポリシリコンでなる第2上層配線とを層間絶縁膜を介して形成し、これら上層配線を貫通し且つ該下層配線を露出させる接続用開孔部を開設した後、該接続用開孔部内に、第1導電型の不純物を導入したポリシリコンプラグを埋め込む、配線の形成方法において、前記接続用開孔部に前記ポリシリコンを埋め込む前に、前記第2上層配線の該接続用開孔部内に露出する部分に、第2導電型の不純物を加えて導入し高濃度層を形成しておくことを特徴とする配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 P
