特許

J-GLOBAL ID：200903072825366632

被処理体の窒化方法及び半導体素子

発明者： 多田 吉秀 ,  秋山 浩二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077913
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 特性の良好な窒化膜(絶縁層)を、膜厚の制御性を高く維持した状態で形成することができる被処理体の窒化方法を提供する。【解決手段】 処理容器2内にて所定の温度になされた被処理体Wの表面を窒化する窒化方法において、減圧雰囲気下にてH2 とNH3 とを用いることにより前記窒化処理を行なって窒化膜76、82を形成する。これにより、特性の良好な窒化膜(絶縁層)を、膜厚の制御性を高く維持した状態で形成する。

請求項（抜粋）：

処理容器内にて所定の温度になされた被処理体の表面を窒化する窒化方法において、減圧雰囲気下にてH2 とNH3 とを用いることにより前記窒化処理を行なって窒化膜を形成したことを特徴とする被処理体の窒化方法。

Fターム (7件)：

5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-062901   出願人：ソニー株式会社
• 耐熱衝撃性にすぐれた表面被覆超硬合金製切削工具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246308   出願人：三菱マテリアル株式会社